Metóda vysokoteplotnej syntézy na výrobu karbidu kremíka
Procesný tok karbidu kremíka: Prostredie s veľmi vysokou teplotou: Zahrievanie na viac ako 2500 stupňov plazmou alebo oblúkom na dosiahnutie okamžitej reakcie. Rýchla syntéza: Reakčný čas sa skráti na niekoľko hodín a priamo vzniká SiC s vysokou čistotou.
Výhody: Produkt má vysokú čistotu (＞99,9 %) a vynikajúcu kryštálovú štruktúru.
Neexistujú žiadne medziprodukty, ktoré sú vhodné na prípravu SiC v nanoúrovni. Nevýhody: Drahé zariadenie a extrémne vysoká spotreba energie. Táto technológia je náročná a ťažko aplikovateľná vo veľkom meradle. Použitie: High-end oblasti, ako sú polovodiče a optické povlaky. Iné procesy: Chemická depozícia z pár (CVD): používa sa pre tenký film alebo monokryštál SiC, cena je extrémne vysoká. Sol-gélová metóda: vhodná pre malé šarže nano-SiC v laboratóriu a industrializácia je náročná.
parametre karbidu kremíka
|
ochranná známka |
ZhenAn |
|
Produkt |
Karbid kremíka |
| Veľkosť častíc | Abrazívne |
| Žiaruvzdorná veľkosť | 0-1mm 0-10mm 0-100mm |
ako zadať objednávku
Odpoveď: Kupujúci odošle dopyt → získajte cenovú ponuku karbidu kremíka → potvrdenie objednávky → Kupujúci zabezpečí 30% zálohu → Výroba sa začala po prijatí zálohy → Prísna kontrola počas výroby → Kupujúci dohodne platbu zostatku → Balenie → Dodanie podľa obchodných podmienok
Populárne Tagy: vysoko kvalitný karbid kremíka / šmirgeľ, Čína vysokokvalitní výrobcovia karbidu kremíka / šmirgeľ, dodávatelia, továreň